Descripción
Transistor 2N3055 Toshiba – NPN 100V / 15A / 115W – TO-3
Transistor bipolar de potencia NPN fabricado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio, fuentes de alimentación, controladores y etapas de potencia. Su encapsulado metálico TO-3 garantiza una excelente disipación térmica y fiabilidad incluso en condiciones exigentes.
Características técnicas
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⚙️ Tipo: Transistor bipolar de potencia (BJT)
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🧭 Polaridad: NPN
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🧩 Configuración: Single
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🔋 Tensión colector–emisor (VCEO): 60 V
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⚡ Tensión colector–base (VCBO): 100 V
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🔌 Tensión emisor–base (VEBO): 7 V
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💪 Corriente máxima de colector (IC): 15 A
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🔊 Ganancia de corriente (hFE): ≥ 20 (a 4 A / 4 V)
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📶 Frecuencia de transición (fT): 2,5 MHz
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🔥 Disipación de potencia (Pd): 115 W
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🧊 Encapsulado: TO-3 metálico
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🌡️ Temperatura de trabajo: -65 °C a +200 °C
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🏷️ Serie: 2N3055 – Toshiba
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📦 Categoría: Transistores bipolares (BJT)
Ventajas
🔸 Alta capacidad de corriente y disipación térmica
🔸 Ideal para amplificadores de potencia y reguladores lineales
🔸 Fiabilidad industrial con amplio margen térmico
🔸 Fabricado por Toshiba, garantía de calidad y rendimiento
