Descripción
Fabricante: International & Rectifier, INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 40V
Corriente del drenaje 202A
Potencia disipada 222W
Carcasa TO-220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 4mili Ohmios
Montaje THT
Carga de puerta 131nC
Denominación de fabricante: IRF1404PBF






