Descripción
Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 30V
Corriente del drenaje 120A
Corriente del drenaje en impulso 664A
Potencia disipada 125W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 2,4miliOhmios
Montaje THT
Clase de canal enriquecido
Peso 1,96gr
Denominación de fabricante: IRLB8314PBF
Application.:
– Optimized for UPS/Inverter Applications
– Low Voltage Power Tools
Benefits.:
– Best in Class Performance for UPS/Inverter Applications
– Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
– Ultra-Low Gate Impedance
– Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
– Lead-Free, RoHS Compliant
