Descripción
Fabricante I&R International & Rectifier (INFINEON TECHNOLOGIES)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 150V
Corriente del drenaje 43A
Potencia disipada 200W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 42mO
Montaje THT
Carga de puerta 133.3nC
Clase de canal enriquecido
Peso 1.96gr
Denominación de fabricante: IRF3415PBF
