Descripción
Transistor MOSFET PHX4NQ60E – 600 V · 2,4 A · 35 W · Rds(on) 2,5 Ω
MOSFET de potencia N-channel de Philips, diseñado para aplicaciones de conmutación y regulación de energía. Montaje en cápsula TO-220F / SOT186A, muy utilizado en impresoras HP.
Características clave:
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🔧 MOSFET N-channel de alta tensión
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⚡ Tensión drenador-fuente: 600 V
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🔋 Corriente de drenaje: 2,4 A
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🔥 Potencia disipada: 35 W
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📉 Rds(on): 2,5 Ω
Especificaciones técnicas:
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👤 Fabricante: Philips
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📑 Modelo: PHX4NQ60E / 4NQ60E
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⚡ Tensión Vds: 600 V
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🔋 Corriente Id: 2,4 A
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🔥 Potencia disipada: 35 W
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📉 Resistencia Rds(on): 2,5 Ω
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🧩 Encapsulado: TO-220F / SOT186A
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⚙️ Aplicaciones típicas: fuentes de alimentación conmutadas, reguladores, impresoras HP
