Descripción
Transistor MOSFET IRLR2905Z – 55V / 30A / 110W – Infineon
El IRLR2905Z es un MOSFET N-canal de nivel lógico (logic level) con tecnología HEXFET®, encapsulado en formato TO-252 / DPAK para montaje superficial. Está diseñado para aplicaciones de conmutación y potencia en automoción y electrónica industrial, ofreciendo baja resistencia Rds(on) y alta capacidad de corriente en un tamaño compacto.
Especificaciones técnicas:
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🏭 Fabricante: Infineon Technologies
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⚙️ Tipo: Transistor N-MOSFET – canal enriquecido
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🔋 Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
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🔌 Corriente de drenaje (Id): 30 A
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⚡ Corriente de drenaje en impulso (Idp): 160 A
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🔥 Potencia máxima disipada (Pd): 110 W
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📦 Encapsulado / carcasa: TO-252 / DPAK (SMD)
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➖ Tensión puerta-fuente (Vgs): ±16 V
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🔽 Rds(on): 27 mΩ
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⏱️ Carga de puerta (Qg): 48 nC
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🧷 Clase de canal: enriquecido
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🧩 Montaje: SMD
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♻️ Certificación: RoHS
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⚖️ Peso unitario: 0,392 g
