Descripción
Fabricante I&R/INFINEON
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 400V
Corriente del drenaje 10A
Potencia disipada 125W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 0,55 Ohmios
Montaje THT
Carga de puerta 63nC
Clase de canal enriquecido
Denominación de fabricante: IRF740
