Transistor IGBT RJP30E2 RJP30E2DPP TO-220F RENESAS (2 Unidades)

4,50 Impuestos incluidos

4 disponibles

Código: 028RJP30E2 Categoría:

Descripción

Transistor IGBT RJP30E2 RJP30E2DPP TO-220F RENESAS
 

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
•Trench gate technology (G5H series)
•Low collector to emitter saturation voltage   VCE(sat) = 1.7 V typ
•High speed switching   tf = 150 ns typ
•Low leak current   ICES = 1 µA max
•Isolated package  TO-220FL

 

 

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