Descripción
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores bipolares – BJT
Empaquetado / Estuche: TO-3
Polaridad de transistor: NPN
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
Voltaje colector-base VCBO: 100 V
Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
Corriente del colector DC máxima: 15 A
Producto fT para ganancia de ancho de banda: 3 MHz
Temperatura operativa mínima: – 65 C
Temperatura operativa máxima: + 200 C
Serie: 2N3055
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
Altura: 8.7 mm (Max)
Longitud: 39.5 mm (Max)
Anchura: 26.2 mm (Max)
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector: 15 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20
Pd (disipación de potencia): 115 W
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
Categoría de producto: Transistores bipolares – BJT
Empaquetado / Estuche: TO-3
Polaridad de transistor: NPN
Configuración: Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V
Voltaje colector-base VCBO: 100 V
Voltaje emisor-base VEBO: 7 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1 V
Corriente del colector DC máxima: 15 A
Producto fT para ganancia de ancho de banda: 3 MHz
Temperatura operativa mínima: – 65 C
Temperatura operativa máxima: + 200 C
Serie: 2N3055
Ganancia de corriente DC hFE Máx.: 70
Altura: 8.7 mm (Max)
Longitud: 39.5 mm (Max)
Anchura: 26.2 mm (Max)
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector: 15 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20
Pd (disipación de potencia): 115 W
Tipo de producto: BJTs – Bipolar Transistors
