Descripción
Fabricante: Infineon I&R
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 55V
Corriente del drenaje 81A
Poder disipado 170W
Carcasa TO247AC
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 12mili Ohm
Montaje THT
Carga de puerta 86.7nC
