Transistor IGBT RJP30E2 TO-3P RJP30E2DPK RENESAS (2 Unidades)

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Código: 028RJP30E2X Categoría:

Descripción

Transistor IGBT RJP30E2 TO-3P RJP30E2DPK RENESAS (2 Unidades)

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
•Trench gate technology (G5H series)
•Low collector to emitter saturation voltage   VCE(sat) = 1.7 V typ
•High speed switching   tf = 150 ns typ
•Low leak current  Ices = 1 µA max
•IPackage  TO-3P


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